HgGa2S4 晶体
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HgGa2S4 晶体
HgGa2S4 晶体，简称HGS 晶体，是一种非常优异的非线性光学晶体，非线性系数高（d36 约为AGS 晶体的1.8 倍），透光范围宽（0.55 ～ 13μm），双折射系数大，损伤阈值高，非常适用于1-10μm波段的二倍频以及OPO、OPA。尽管HgGa2S4 晶体的大尺寸生长相当困难，但其高的转换效率和宽的辐射波长调谐范围使得该晶体有望与 AgGaS2、AgGaSe2、ZnGeP2 和 GaSe 晶体竞争。
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基本参数 |
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透过范围 |
0.55-13μm |
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带隙宽度 |
2.34 eV |
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密度 |
4.95g/cm3 |
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莫氏硬度 |
3-3.5 |
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负单轴晶 |
no＞ne |
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折射率 |
no= 2.6592; ne= 2.5979 @ 0.5495 μm |
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no= 2.5796; ne= 2.5264 @ 0.6500 μm |
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no= 2.4774; ne= 2.4324 @ 1.0760 μm |
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no= 2.4386; ne= 2.3979 @ 3.5400 μm |
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no= 2.3690; ne= 2.3290 @ 11.000 μm |
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非线性系数 |
d36(1.064μm) = 1.8 d36( AgGaS2) ± 15% = (35.2 ± 5.3 ) pm/V d31(1.064μm)= 0.6 d36( AgGaS2) ± 15% = (11.7 ± 1.8 ) pm/V |
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损伤阈值 |
60～90MW/cm2（1064nm,10ns） |
