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半导体脉冲激光器

半导体脉冲激光器

 

半导体脉冲激光器

 红外半导体脉冲激光器具有高峰值功率、长寿命、易操作等特点，广泛应用于激光测距、光学仪器等领域。

产品参数：

型号

输出功率(mW)

单脉冲能量(uJ)

重复频率(Hz)

脉冲宽度(ns)

参数页

MDL-III-P-905

1~70

7(@10kHz)

1~20k

~36(@10kHz)

MDL-III-P-905

MDL-III-P-1550

1~30

57(@6kHz)

1~20k

~150(@6kHz)

MDL-III-P-1550
INFRARED DIODE LASER AT 905nm SPECIFICATIONS：

Wavelength (nm)

905±5

Operating mode

Modulation(pulse)

Output power (mW)

1~70

Single pulse energy (μJ)

7（@10KHz）

Pulse duration (ns)

~36（@10KHz）

Peak power (W)

~200（@10KHz）

Rep. rate (Hz)

1~20K

Warm-up time (minutes)

<10

Beam divergence, full angle (mrad)

<16（@70mW,10KHz）

Beam diameter at the aperture (mm)

~4×5（@70mW,10KHz）

Beam height from base plate (mm)

24.8

Operating temperature (℃)

15~35

Power supply (220/110VAC)

PSU-III-FDA

Expected lifetime (hours)

10000

Warranty period

1 year



INFRARED DIODE LASER AT 1550nm SPECIFICATIONS：

Wavelength (nm)

1550±5

Operating mode

Modulation(pulse)

Output power (mW)

1~30

Single pulse energy (μJ)

5（@6kHz）

Pulse duration (ns)

~150（@6kHz）

Peak power (W)

~35（@6kHz）

Rep. rate (Hz)

1~20k

Warm-up time (minutes)

<10

Beam divergence, full angle (mrad)

<16（@30mW,6kHz）

Beam diameter at the aperture (mm)

~4×5（@30mW,6kHz）

Beam height from base plate (mm)

24.8

Operating temperature (℃)

15~35

Power supply (220/110VAC)

PSU-III-FDA

更多信息请咨询上海尖丰光电技术有限公司！

参考文献：

 

典型客户：

西北工业大学

国防科技大学

复旦大学

上海交通大学等

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