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ALS皮秒半导体激光器

ALS皮秒半导体激光器（Picosecond gain switched laser diode module）

产品简介：皮秒半导体激光器，激光波长：375-2000nm，脉宽：25ps-1ns，峰值功率：20-1000mW。该系列皮秒半导体激光器由激光头、控制器、光学元件、温度控制器构成，光学元件包括准直模块、聚焦模块、单模光纤、多模光纤。针对特殊应用，可按需求进行定制。

ALS皮秒半导体激光器（Picosecond gain switched laser diode module）

产品简介：皮秒半导体激光器，激光波长：375-2000nm，脉宽：25ps-1ns，峰值功率：20-1000mW。该系列皮秒半导体激光器由激光头、控制器、光学元件、温度控制器构成，光学元件包括准直模块、聚焦模块、单模光纤、多模光纤。针对特殊应用，可按需求进行定制。

 皮秒半导体激光器

产品特性：

 

  • 波长范围：375nm -2um
  • 脉冲时间：20ps-5ns
  • 脉冲需求可达120 MHz
  • 外部激光触发
  • 持续可调重复频率
  • 低抖动
  • 紧凑轻巧密封OEM包装
  • 免维护-不需校准
  • 可远程控制
  • 高重复性，24/7工作

 

典型参数：

PiLas

波长

375-2000nm

脉宽

20ps-1ns 可变

脉冲峰值功率

20-1000mW

脉冲重复频率

单个-120MHz

输出

空间光或者光纤耦合输出

偏振消光比

>23dB

抖动

<3ps rms

预热时间

<5 minutes

激光头尺寸

95×31×147mm³

控制器尺寸

235×88×326mm³

可选项

单模或多模光纤输出

带或者不带聚焦的光纤准直器

热波长调节

触发的TTL和NIM转换器

窄线宽DFB及罡气

单箱 OEM 封装

 

型号列表

PiL---x

波长

公差

谱宽

脉宽

峰值功率

平均功率

(nm)

(nm)

(nm)

(ps)

(mW)

(mW)

PiL037x

375

±10

<5

<45

>300

2

PiL040x

405

±15

<5

<45

>300

2

PiL044x

440

±20

<5

<60

>150

1.5

PiL047x

470

±10

<5

<60

>150

1.5

PiL048x

480

±10

<5

<60

>100

1

PiL051x

510

±20

<10

<80

>100

1

PiL063x

635

±15

<7

<45

>200

1.5

PiL067x

665

±15

<7

<45

>200

1.5

PiL069x

690

±15

<7

<50

>200

1.5

PiL077x

770

±20

<7

<50

>100

1

PiL083x

830

±15

<10

<45

>100

1

PiL085x

850

±15

<10

<50

>100

1

PiL090x

905

±15

<10

<50

>100

1

PiL106x

1060

±20

<15

<60

>100

1

PiL131x

1310

±20

<15

<35

>100

0.5

PiL155x

1550

±20

<15

<35

>50

0.5

PiL199x

1990

±50

<20

<200

>50

1

PiL085DFBx

852

±2

<0.5

<90

>100

0.5

PiL106DFBx

1064

±2

<0.5

<60

>100

0.5

PiL131DFBx

1310

±20

<0.5

<30

>50

0.5

PiL155DFBx

1550

±20

<0.5

<30

>50

0.5

Notes

Typical average power for collimated beam at 100MHz. Average power depends on Rep. Rate

 ALS皮秒半导体激光器

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