分类

联系我们

联系我们

上海尖丰光电技术有限公司

AOE TECH CO.,LTD 

地址:上海市闵行区元江路3599

邮编: 201109

电话: 021- 64306513

手机:13611848037  18049984960

传真: 021- 64306513

E-mail sales@aoetech.com

http://www.aoetech.com/

LOR负光刻胶

LOR 负光刻胶

产品名称:光刻胶

型号:LOR

LOR 负光刻胶

产品名称:光刻胶

型号:LOR

关键词:MicroChem系列光刻胶

PMGI & LOR负光刻胶使能高产,广泛应用于在处理多种数据存储和无线芯片到MEMS的金属剥离。PMGI & LOR负光刻胶作为双叠层光刻胶,PMGI & LOR在超出单层防腐可以延长限制剥离处理。这包括非常高的分辨率的金属化(<0.25µM),以及非常厚(>4µm)金属化。这些独特的材料可几乎满足任何客户需要。

材料用途:金属电梯加工,桥制造,释放层

材料属性

l  覆盖在成像抗蚀剂不会混杂

l  在TMAH双叠层一步发展,或KOH开发

l  高热稳定性:Tg ~190 C

l  快速清除和常规抗剥离干净

l  0.25µm微米双层抗蚀成像

l  产量高,可用于很厚(>3µm)金属剥离处理

Bi-Layer Lift-Off Process


Lift-Off: An enabling, additive lithographic process.

   

Step 1. LOR or PMGI is coated

1. Bi-layer resist pattern

   

Step 2. The imaging resist is coated onto the LOR or PMGI layer.

2. Metal Deposition

   

Step 3. The imaging resist is exposed.

3. Clean solvent lift-off

 

Step 4. The wafer is developed.

 

Step 5. Metal Deposition

 

Step 6. Lift-Off!

8 other products in the same category: