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负性光刻胶

负性光刻胶

品牌:futurrex

负性光刻胶

品牌:futurrex

产品介绍:

    负性光刻胶分为粘性增强负性光刻胶、高级加工负性光刻胶、剥离处理用负性光刻胶三种。

    A、粘性增强负性光刻胶

    粘性增强负胶的应用是在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮(Polyioprene-Bisazide)的负胶。粘性增强负胶的特性是在湿刻和电镀应用时超强的粘附力;很容易用光胶剥离器去除,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波长曝光。

    粘性增强负胶对生产量的影响,消除了基于溶液的显影和基于溶液冲洗过程的步骤。优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强曝光通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶曝光时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、不必使用粘度增强剂。

    i线曝光用粘度增强负胶系列:NP9–250P、NP9–1000P、NP9–1500P、NP9–3000P、NP9–6000P、NP9–8000、NP9–8000P、NP9–20000P。

    g和h线曝光用粘度增强负胶系列:NP9G–250P、NP9G–1000P、NP9G–1500P、NP9G–3000P、NP9G–6000P、NP9G–8000。

    B、高级加工负胶

    高级加工负胶的应用是替代用于RIE加工及离子植入的正胶。高级加工负胶的特性在RIE加工时优异的选择性以及在离子植入时优异的温度阻抗,厚度范围是﹤0.1 ~ 120.0 μm,可在i、g以及h-line波长曝光。

    高级加工负胶优于正胶的优势是控制表面形貌的优异带宽、任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁、具有一次旋涂即可获得100 μm甩胶厚度、厚胶层同样可得到优越的分辨率、150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间、优异的光速度进而增强曝光通量、更快的显影,100 μm的光胶显影仅需6 ~ 8分钟、光胶曝光时不会出现光胶气泡、可将一个显影器同时应用于负胶和正胶、优异的温度阻抗直至180 ℃、在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度,从而提高刻蚀速度和刻蚀通量、非常容易进行高能量离子减薄、不必使用粘度促进剂。

    用于i线曝光的高级加工负胶系列:NR71-250P、NR71-350P、NR71-1000P、NR71-1500P、NR71-3000P、NR71-6000P、NR5-8000。

 

负性光刻胶:
抗蚀刻负性光刻胶
厚度范围: 0.5 - 200 微米
Performance:
  • 无需使用增粘剂
  • 优良的分辨率.
  • 曝光时间短.
  • 显影时间少.
  • 可以耐180度高温.
  • 在离子蚀刻制程中有着良好的选择性.
  • 用RR41易于去胶.
  • 常温下可保存3年.
应用:
  • 有更高的选择性在离子蚀刻方面 .
  • 适用于高温工序,例如:离子注入.
厚胶
厚度范围: 8 - 200 微米
特性:
  • 优良的分辨率.
  • 烘培时间短.
  • 曝光速率快.
  • 显影时间短.
  • 粘附性好.
  • 用RR41易于去胶.
  • 常温下可保存三年.
应用:
  • 金属电镀工艺:
    • 凸块倒装芯片封装
    • 多级集成电路单元
    • 微系统
    • 感光芯片
    • 厚膜磁头
  • 深沟平坦化
Lift-off用光刻胶
厚度范围: 0.5 - 40 微米
特性:
  • 良好的分辨率.
  • 烘培时间短.
  • 通过曝光能量易于调整侧壁的角度.
  • 显影时间短.
  • 可以耐200度高温.
  • 在离子蚀刻制程中有着良好的选择性 .
  • 用RR41易于去胶.
  • 常温下可保存3年.
应用:
  • Lift-off工艺制程:
  • 发光二极管
  • 砷化镓集成电路
  • 铁电存储器
  • 平板显示
  • 微系统
  • 感光芯片
  • 生物芯片

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