PMGI负光刻胶
PMGI 负光刻胶
产品名称:光刻胶
型号:PMGI
PMGI 负光刻胶
产品名称:光刻胶
型号:PMGI
关键词:MicroChem系列光刻胶
PMGI & LOR负光刻胶使能高产,广泛应用于在处理多种数据存储和无线芯片到MEMS的金属剥离。PMGI & LOR负光刻胶作为双叠层光刻胶,PMGI & LOR在超出单层防腐可以延长限制剥离处理。这包括非常高的分辨率的金属化(<0.25µM),以及非常厚(>4µm)金属化。这些独特的材料可几乎满足任何客户需要。
材料用途:金属电梯加工,桥制造,释放层
材料属性:
l 覆盖在成像抗蚀剂不会混杂
l 在TMAH双叠层一步发展,或KOH开发
l 高热稳定性:Tg ~190 C
l 快速清除和常规抗剥离干净
l 0.25µm微米双层抗蚀成像
l 产量高,可用于很厚(>3µm)金属剥离处理
Bi-Layer Lift-Off Process |
Lift-Off: An enabling, additive lithographic process. |
Step 1. LOR or PMGI is coated |
1. Bi-layer resist pattern |
Step 2. The imaging resist is coated onto the LOR or PMGI layer. |
2. Metal Deposition |
Step 3. The imaging resist is exposed. |
3. Clean solvent lift-off |
Step 4. The wafer is developed. |
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Step 5. Metal Deposition |
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Step 6. Lift-Off! |